2026年全球内存价格恐进一步失控

2026 年 1 月 18 日在美光纽约工厂奠基仪式上，美国商务部部长霍华德 · 卢特尼克（Howard Lutnick）释放明确信号：存储芯片制造商要么选择在美国本土建厂，要么面临高达 100% 的惩罚性关税。

继台积电、三星等企业响应“美国制造”号召进行投资后，美国政府此次将矛头明确指向了 DRAM（动态随机存取存储器）供应链，意图通过高额关税倒逼全球存储巨头将产能转移至美国，而此举可能会进一步推高全球内存价格。

尽管三星电子和 SK 海力士已在美国布局，但其现有规划恐难逃新政制裁。三星此前虽已宣布在美投入半导体前道和后道工序，但目前尚无新建专门用于生产内存芯片的晶圆厂计划。

内存涨价问题,在去年就有很多网络声音,如果美国搅局,未来是否明朗,要看整个产业的发展情况了,希望不要涨价,这对其他使用内存硬件的企业以及消费者来说,都将会是好事情.